半导体材料检测

半导体材料检测简介

发布时间：2025-05-10 15:05:55

更新时间：2025-07-11 15:39:08

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第三方半导体材料检测机构北京中科光析科学技术研究所科研分析检测中心可进行有机半导体材料、无机半导体材料、多晶硅、薄膜材料、光电材料、化合物半导体、晶体材料、纳米材料、半导体陶瓷材料、半导体光纤材料、有机无机复合材料、氮化物半导体材料、磷化物半导体材料、碲化物半导体材料、铜铟镓硒薄膜材料、锗基半导体材料、氧化物半导体材料、石墨烯材料、钙钛矿材料等等半导体材料检测，作为综合性研究所，旗下实验室拥有CMA检测资质，检测设备齐全，数据科学可靠，7-15个工作日便可出具半导体材料检测报告。

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半导体材料检测内容

检测信息（部分）

问：半导体材料检测主要涵盖哪些产品？

答：半导体材料检测覆盖单晶硅、化合物半导体（如GaAs、InP）、有机半导体、纳米半导体材料等，涉及晶圆、薄膜、基板、封装材料等多种形态。

问：半导体材料的检测用途是什么？

答：检测用于评估材料的电学性能、结构特性、成分纯度及可靠性，确保其符合芯片制造、光电器件、传感器、集成电路等领域的应用要求。

问：半导体材料检测的核心内容有哪些？

答：检测包括成分分析、缺陷表征、表面形貌观测、电学参数测量（如载流子浓度、迁移率）、热学性能测试及可靠性验证（如耐高温、抗辐照能力）。

检测项目（部分）

载流子浓度：反映半导体中自由电子或空穴的密度，直接影响导电能力。
迁移率：衡量载流子在电场作用下的运动速率，决定器件响应速度。
电阻率：表征材料对电流的阻碍程度，用于评估材料纯度与掺杂效果。
缺陷密度：检测晶格缺陷数量，影响器件性能稳定性。
禁带宽度：决定半导体导电类型及光电特性。
表面粗糙度：影响薄膜沉积质量与器件接触性能。
元素成分分析：确保材料纯度及掺杂剂含量符合标准。
晶体取向：检测晶格排列方向，影响器件加工精度。
热导率：评估材料散热能力，关系器件可靠性。
击穿电压：衡量材料耐受高电压能力。
载流子寿命：反映复合效率，影响光电转换效率。
霍尔效应：用于测定载流子类型及浓度。
X射线衍射（XRD）：分析晶体结构及相组成。
光致发光谱（PL）：检测材料发光特性及缺陷状态。
二次离子质谱（SIMS）：深度剖析材料成分分布。
扫描电镜（SEM）：观察表面微观形貌及缺陷。
原子力显微镜（AFM）：测量表面纳米级粗糙度。
热重分析（TGA）：评估材料热稳定性与分解温度。
傅里叶红外光谱（FTIR）：分析化学键及官能团信息。
四探针电阻测试：精确测量薄层电阻与均匀性。

检测范围（部分）

单质半导体（硅、锗）
III-V族化合物（GaAs、GaN、InP）
II-VI族化合物（CdTe、ZnO）
有机半导体（并五苯、酞菁铜）
量子点材料
碳化硅（SiC）
氮化镓（GaN）
磷化铟（InP）
砷化镓（GaAs）
氧化锌（ZnO）
柔性半导体薄膜
半导体纳米线
二维材料（石墨烯、MoS2）
钙钛矿材料
晶圆衬底材料
外延生长层
半导体封装材料
光刻胶材料
溅射靶材
掺杂多晶硅

检测仪器（部分）

扫描电子显微镜（SEM）
透射电子显微镜（TEM）
X射线衍射仪（XRD）
霍尔效应测试系统
四探针电阻测试仪
原子力显微镜（AFM）
二次离子质谱仪（SIMS）
傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）
光致发光光谱仪（PL）
热重分析仪（TGA）

检测标准（部分）

《 YS/T 1590-2022 多晶硅行业绿色工厂评价要求》标准简介

标准名称：多晶硅行业绿色工厂评价要求
标准号：YS/T 1590-2022

中国标准分类号：H04
发布日期：2022-09-30

国际标准分类号：29.045
实施日期：2023-04-01

技术归口：
代替标准：

主管部门：工业和信息化部
标准分类：有色金属电气工程半导体材料制造业
内容简介：
行业标准《多晶硅行业绿色工厂评价要求》，主管部门为工业和信息化部。本文件规定了多晶硅行业绿色工厂评价的总则、评价要求、评价程序和评价报告。本文件适用于多晶硅行业绿色工厂的评价。

《 GB/T 30652-2023 硅外延用三氯氢硅》标准简介

标准名称：硅外延用三氯氢硅
标准号：GB/T 30652-2023

中国标准分类号：H83
发布日期：2023-08-06

国际标准分类号：29.045
实施日期：2024-03-01

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：GB/T 30652-2014

主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料
内容简介：
国家标准《硅外延用三氯氢硅》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了硅外延用三氯氢硅（SiHCl 3）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅（以下简称产品）。

《 GB/T 35307-2023 流化床法颗粒硅》标准简介

标准名称：流化床法颗粒硅
标准号：GB/T 35307-2023

中国标准分类号：H82
发布日期：2023-08-06

国际标准分类号：29.045
实施日期：2024-03-01

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：GB/T 35307-2017

主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料
内容简介：
国家标准《流化床法颗粒硅》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了流化床法颗粒硅的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷气为原料，采用流化床法生产的颗粒状多晶硅(以下简称颗粒硅)。

《 T/ZJATA 0017-2023 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备》标准简介

标准名称：制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备
标准号：T/ZJATA 0017-2023

中国标准分类号：/C356
发布日期：2023-06-20

国际标准分类号：31.220.01
实施日期：2023-07-20

团体名称：浙江省分析测试协会
标准分类：机电元件综合电子和电工机械专用设备制造
内容简介：
本文件规定了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称碳化硅外延设备）的产品分类、标记、组成及基本参数、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、质量承诺

本文件适用于采用化学气相沉积法(CVD)技术加工100mm（4英寸）、150mm（6英寸）和200mm（8英寸）SiC晶片的碳化硅外延设备

本文件包含了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备（以下简称“外延设备”）的产品分类、工作条件、技术要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和贮存要求内容，对外延设备的反应室系统、温度控制系统、加热系统、真空系统、加工（碳化硅外延片）质量指标给出了统一技术参数及评价方法。通过对可靠性、加工效率、温度压力流量等关键参数控制，保证了设备的精准性、安全性。

《 GB/T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片》标准简介

标准名称：碳化硅单晶抛光片
标准号：GB/T 30656-2023

中国标准分类号：H83
发布日期：2023-03-17

国际标准分类号：29.045
实施日期：2023-10-01

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：GB/T 30656-2014

主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料
内容简介：
国家标准《碳化硅单晶抛光片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。

《 GB/T 12963-2022 电子级多晶硅》标准简介

标准名称：电子级多晶硅
标准号：GB/T 12963-2022

中国标准分类号：H82
发布日期：2022-12-30

国际标准分类号：29.045
实施日期：2023-07-01

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：GB/T 12963-2014

主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料
内容简介：
国家标准《电子级多晶硅》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。

《 YS/T 1510-2021 高纯锗粉》标准简介

标准名称：高纯锗粉
标准号：YS/T 1510-2021

中国标准分类号：H82
发布日期：2021-12-02

国际标准分类号：29.045
实施日期：2022-04-01

技术归口：
代替标准：

主管部门：工业和信息化部
标准分类：制造业有色金属电气工程半导体材料
内容简介：
行业标准《高纯锗粉》，主管部门为工业和信息化部。本文件适用于以高纯二氧化锗为原料经氢气还原后，研磨、筛分生产的高纯锗粉。

《 GB/T 31092-2022 蓝宝石单晶晶棒》标准简介

标准名称：蓝宝石单晶晶棒
标准号：GB/T 31092-2022

中国标准分类号：H83
发布日期：2022-12-30

国际标准分类号：29.045
实施日期：2023-07-01

技术归口：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
代替标准：GB/T 31092-2014

主管部门：国家标准化管理委员会
标准分类：电气工程半导体材料
内容简介：
国家标准《蓝宝石单晶晶棒》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。

《 DB35/T 1146-2011 硅材料中杂质元素含量测定辉光放电质谱法》标准简介

标准名称：硅材料中杂质元素含量测定辉光放电质谱法
标准号：DB35/T 1146-2011

中国标准分类号：H80
发布日期：2011-04-10

国际标准分类号：29.045
实施日期：2011-07-10

技术归口：中国科学院福建物质结构研究所
代替标准：

主管部门：福建省质量技术监督局
标准分类：电气工程半导体材料
内容简介：
地方标准《硅材料中杂质元素含量测定辉光放电质谱法》由中国科学院福建物质结构研究所归口上报，主管部门为福建省质量技术监督局。

《 GB/T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法》标准简介

标准名称：用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
标准号：GB/T 14863-2013

中国标准分类号：H80
发布日期：2013-12-31

国际标准分类号：29.045
实施日期：2014-08-15

技术归口：工业和信息化部（电子）
代替标准：GB/T14863-1993

主管部门：工业和信息化部（电子）
标准分类：电气工程半导体材料
内容简介：
国家标准《用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。