硅外延片检测：深入探讨其关键项目与高效方法

国家标准《 埋层硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。

本规范规定了电力电子器件用碳化硅外延片(以下简称碳化硅外延片)的技术要求、质量保证、交货准备以及说明事项等内容。本规范适用于电力电子器件用在n型4H碳化硅衬底上生长了n型(或p型)碳化硅同质外延层的外延片。

本标准规定了碳化硅外延片表面缺陷密度的光学测试方法。本标准适用于在4H晶型碳化硅衬底上生长了同质外延层的外延片的表面缺陷密度测试，样品表面法线方向为［0001］方向，且其偏离角度不应大于8°。

本规范规定了微波功率晶体管用硅外延片(以下简称外延片)的要求、质量保证规定、交货准备和说明事项。本规范适用于微波功率晶体管用直径为76.2mm~200mm的同质外延片的设计、制造、检验，其它半导体分立器件同质外延片也可参照执行。

国家标准《 碳化硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上，生长碳化硅同质外延层的外延片，产品用于制作碳化硅电力电子器件。

本文件规定了高压MOSFET用200mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺

本文件适用于直径为200mm、外延层厚度为40μm～80μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片

产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件（简称高压MOSFET）

本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法

本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层

本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的检测方法。其检测项目有外延层电阻率、外延层厚度、层错密度、位错密度、夹层和表面缺陷等

本图集汇集了晶向n/n+和p/p+硅外延片常见的具有典型性的宏观表面缺陷及在表面观察到的微观缺陷。按缺陷种类分为片子外形缺陷、表面突起缺陷、表面凹坑缺陷、雾状表面缺陷及晶格缺陷等五类,共26种。

国家标准《碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

国家标准《硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

u3000u3000本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。 u3000u3000本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层（N/N＋）和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层（P/P＋）的同质硅外延片。产品主要用于制作硅半导体器件。其他类型的硅外延片可参照使用。

本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的N型外延层（N/N）和在P型硅抛光片衬底上生长的P型外延层（P/P）的同质硅外延片。产品用于制作半导体器件。

国家标准《硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

国家标准《硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。本标准适用于在直径不大于150mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。