半导体器件检测标准

国家标准《半导体器件 第5-6部分：光电子器件 发光二极管》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件规定了一般工业应用的发光二极管（LED）的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定，涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。LED分为以下五种类型：a)〓LED器件；b)〓LED平面发光器件；c)〓LED数字显示和字母数字显示；d)〓显示用点阵LED；e)〓红外发射二极管（IR LED）；f)〓紫外发射二极管（UV LED）。本文件包括带有散热器或具有同等散热器功能的LED。

国家标准《半导体器件 第16-5部分：微波集成电路 振荡器》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC2（全国半导体器件标准化技术委员会半导体集成电路分会）执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注： 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

国家标准《半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC1（全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会）执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。

国家标准《半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM）》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。

国家标准《半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC2（全国半导体器件标准化技术委员会半导体集成电路分会）执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。

国家标准《半导体器件 第16-2部分：微波集成电路 预分频器》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC2（全国半导体器件标准化技术委员会半导体集成电路分会）执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。

国家标准《半导体器件 集成电路 第20部分：膜集成电路和混合膜集成电路总规范 第一篇：内部目检要求》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC2（全国半导体器件标准化技术委员会半导体集成电路分会）执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件的目的是检查膜集成电路和混合膜集成电路（FICs和HFICs，以下简称器件）内部的材料、结构和制造工艺。通常在封帽或包封前进行该项检验，从而找出并剔除带有内部缺陷的器件。这种缺陷会导致器件在正常应用中失效。其他的验收准则应与购买商或供应商商定。

国家标准《半导体器件 微电子机械器件 第19部分：电子罗盘》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件界定了电子罗盘的术语和定义，规定了基本额定值和特性，描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘，或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。 对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。 本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

国家标准《半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

国家标准《半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

国家标准《电子元器件 半导体器件长期贮存 第5部分：芯片和晶圆》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC2（全国半导体器件标准化技术委员会半导体集成电路分会）执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

国家标准《半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试 机器模型（MM）》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

国家标准《半导体器件的机械标准化 第6-4部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，TC78SC2（全国半导体器件标准化技术委员会半导体集成电路分会）执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

国家标准《半导体器件 微电子机械器件 第5部分：射频MEMS开关》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号，描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关，射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类，包括直流触点型开关和电容触点型开关；按结构分类，包括串联开关和并联开关，射频MEMS开关的几何结构说明见附录B；按开关网络分类，包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等；按驱动方式分类，包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR（软件无线电）电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛，射频MEMS开关的应用说明见附录E。

国家标准《半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件描述了随时间的推移，偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作，主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼，可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。