晶片检测标准

国家标准《半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。 本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm～1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率，以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/□～3.0×103 Ω/□。本方法也可以扩展到其他半导体材料中，但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。

本文件描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。本文件适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金、汞等元素含量的测定，测定范围为108cm-2～1012cm-2。本文件适用于100mm(4吋)～200mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。注：　碳化硅晶片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。

本本规范适用于测试范围在 0.1Ω·CM~200.0Ω·CM(厚度 100 ΜM~1000ΜM)的非接触涡流法半导体晶片电阻率测试系统的校准。电阻率测试系统主要是利用无接触电涡流探头系统,检测由被测半导体晶片感应的涡流,辅以控制器进行信号处理完成对半导体晶片电阻率的无损测量。它主要由涡流探头、高频线圈和控制器等部分组成。

国家标准《锗单晶和锗单晶片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

行业标准《晶片正面系列字母数字标志规范》由全国有色金属标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。

国家标准《晶片通用网格规范》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

国家标准《确定晶片坐标系规范》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

国家标准《锗单晶片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

国家标准《晶片承载器》由339-1（工业和信息化部（电子））归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

国家标准《电子材料晶片参考面长度测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定。本文件的主要结构和内容如下：本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素，测试环境、测试样品、测试程序、精密度、测试报告和附录。

本标准规定了单晶晶片的术语和定义、基本要求、产品要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存、质量承诺。本标准适用于人造石英（QZ）、铌酸锂（LN）、钽酸锂（LT）、四硼酸锂（LBO）和硅酸镓镧（LGS）等单晶晶片。这些单晶晶片用作声表面波(SAW)器件的基片材料。

本标准规定了石英晶片倒边波形筒的型式规格、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存本标准适用于石英晶片倒边波形筒标准名称中的“石英晶片”是指压电石英晶体毛坯片。“倒边波形筒”是倒边滚筒的一种结构型式，其他类型有“倒边球”、“倒边直筒”等。标准给出了波形筒的基本结构型式，常用的2个系列共14种规格的内径和内壁波形R尺寸。标准规定了倒边波形筒的材料、尺寸公差、表面质量、装配互换性等基本技术要求。

本标准规定了晶片精密研磨盘用修正轮的型式规格、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存本标准适用于晶片精密研磨盘用修正轮标准名称中的“研磨盘”是指晶片双面研磨机的上、下研磨盘。修正轮的材质为灰铸铁或球墨铸铁，用于铸铁研磨盘的修整。外形为齿轮状，厚度25-40毫米，正反面开有刮研槽。标准给出了修正轮常用的6种结构型式，以及6种规格的外径和厚度尺寸、外圈的齿数和模数。标准中对修正轮三项关键指标规定的尺寸公差，代表了国内一流、国际先进技术水平。1）修正轮整个工作面的平面度，本标准规定应≤0.02mm；2）修正轮正反两面的平行度，本标准规定应≤0.005mm；3）修正轮4个或6个为一组，组内各修正轮之间的厚度误差，本标准规定应≤0.02mm。

本标准规定了晶片精密研磨盘的规格型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存本标准适用于研磨晶片的精密研磨盘标准名称中的“晶片”包括：——半导体材料晶片，如：硅单晶Si，锗单晶Ge等；——复合半导体材料晶片，如：GaAs，GaN，InP等；——光电材料晶片，如：LiNbO3，BBO等；——超硬材料晶片，如蓝宝石Sapphire，碳化硅SiC等。标准名称中的“精密研磨盘”区别于“粗研磨盘”。标准给出了晶片研磨盘的12个规格型号，包括了国内晶片研磨盘的主要规格型号。精密研磨盘的关键技术指标是平面度和平行度，标准中对各规格的研磨盘分别给出了平面度和平行度要求，规定的指标代表了国内一流、国际先进水平。