检测信息(部分)
什么是多晶硅?
多晶硅是由多个单晶硅颗粒组成的半导体材料,是光伏产业和电子元器件的关键原料。
多晶硅的主要用途是什么?
多晶硅广泛用于太阳能电池板、集成电路、半导体器件及光伏发电系统的生产。
多晶硅检测的主要内容有哪些?
检测包括纯度分析、杂质含量、晶格结构、电学性能及表面缺陷等核心指标。
检测项目(部分)
- 电阻率:反映材料导电性能的关键参数
- 碳含量:影响材料热稳定性和机械强度
- 氧含量:与晶格缺陷和电学性能密切相关
- 金属杂质:决定半导体器件的可靠性和寿命
- 晶粒尺寸:影响材料力学性能和加工特性
- 少子寿命:衡量光伏材料光电转换效率的核心指标
- 表面粗糙度:关联器件接触性能和光学特性
- 载流子浓度:决定半导体电导率和器件功能
- 晶体取向:影响材料各向异性和加工工艺
- 缺陷密度:直接关联器件良品率和性能稳定性
- 总金属杂质:综合评估材料纯净度的重要指标
- 氢含量:影响材料钝化效果和器件可靠性
- 氮含量:与材料抗腐蚀性和热导率相关
- 磷掺杂浓度:控制半导体导电类型的核心参数
- 硼掺杂浓度:调节P型半导体特性的关键指标
- 位错密度:反映晶体结构完整性的量化数据
- 热膨胀系数:关联材料高温应用稳定性
- 反射率:影响光伏材料的光吸收效率
- 介电常数:决定电子器件的绝缘性能
- 击穿电压:衡量材料绝缘强度的核心参数
检测范围(部分)
- 太阳能级多晶硅
- 电子级多晶硅
- 冶金级多晶硅
- 区熔法多晶硅
- 流化床法多晶硅
- 化学气相沉积多晶硅
- 铸造多晶硅
- 高纯多晶硅锭
- 多晶硅薄膜
- 多晶硅颗粒
- 多晶硅棒材
- 多晶硅板材
- 多晶硅废料
- 掺杂多晶硅
- 涂层多晶硅
- 纳米多晶硅
- 多晶硅靶材
- 多晶硅晶圆
- 多晶硅回收料
- 特种多晶硅复合材料
检测仪器(部分)
- X射线荧光光谱仪
- 电感耦合等离子体质谱仪
- 四探针电阻率测试仪
- 傅里叶变换红外光谱仪
- 扫描电子显微镜
- 原子力显微镜
- 辉光放电质谱仪
- 热导率测定仪
- 激光粒度分析仪
- 少子寿命测试系统
检测标准(部分)
T/CEMIA 018-2019 光伏多晶硅用熔融石英陶瓷坩埚
YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉
YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法
YS/T 1061-2015 改良西门子法多晶硅用硅芯
YS/T 983-2014 多晶硅还原炉和氢化炉尾气成分的测定方法
T/CNIA 0064-2020 多晶硅行业用无尘擦拭布中杂质含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
T/CNIA 0060-2020 多晶硅用氢气中磷化氢含量的测定 气相色谱法
GB/T 10067.416-2019 电热和电磁处理装置基本技术条件 第416部分:多晶硅铸锭炉
T/CNIA 0018-2019 多晶硅厂动火受限安全检测作业规范
T/CNIA 0017-2019 多晶硅用氯硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片
GB/T 29054-2019 太阳能电池用铸造多晶硅块
T/CNIA 0016-2019 多晶硅用回收氢气中氯化氢、氮气、氧气、总碳含量的测定 气相色谱法
T/CNIA 0014-2019 多晶硅生产用瓷环
T/CNIA 0013-2019 多晶硅生产用石墨制品
GB/T 4059-2018 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 37051-2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
GB/T 37049-2018 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 4060-2018 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 35309-2017 用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程

检测优势
检测资质(部分)




检测实验室(部分)
合作客户(部分)





检测报告作用
1、可以帮助生产商识别产品的潜在问题或缺陷,并及时改进生产工艺,保障产品的品质和安全性。
2、可以为生产商提供科学的数据,证明其产品符合国际、国家和地区相关标准和规定,从而增强产品的市场竞争力。
3、可以评估产品的质量和安全性,确保产品能够达到预期效果,同时减少潜在的健康和安全风险。
4、可以帮助生产商构建品牌形象,提高品牌信誉度,并促进产品的销售和市场推广。
5、可以确定性能和特性以及元素,例如力学性能、化学性质、物理性能、热学性能等,从而为产品设计、制造和使用提供参考。
6、可以评估产品是否含有有毒有害成分,以及是否符合环保要求,从而保障产品的安全性。
检测流程
1、中析研究所接受客户委托,为客户提供检测服务
2、客户可选择寄送样品或由我们的工程师进行采样,以确保样品的准确性和可靠性。
3、我们的工程师会对样品进行初步评估,并提供报价,以便客户了解检测成本。
4、双方将就检测项目进行详细沟通,并签署保密协议,以保证客户信息的保密性。在此基础上,我们将进行测试试验.
5、在检测过程中,我们将与客户进行密切沟通,以便随时调整测试方案,确保测试进度。
6、试验测试通常在7-15个工作日内完成,具体时间根据样品的类型和数量而定。
7、出具检测样品报告,以便客户了解测试结果和检测数据,为客户提供有力的支持和帮助。
以上为多晶硅检测的检测内容,如需更多内容以及服务请联系在线工程师。