检测项目（部分）
- 漏电电流：测量产品内部的漏电电流，用于评估产品的安全性。
- 工作电流：测量产品的工作电流，用于评估产品的性能和效率。
- 静态电流：测量产品在静止状态下的电流，用于评估产品的功耗。
- 输入电压范围：测量产品能够正常工作的输入电压范围。
- 输出电压范围：测量产品输出的电压范围。
- 温度范围：测量产品能够正常工作的温度范围。
- 工作频率：测量产品的工作频率，用于评估产品的适用范围。
- 开关时间：测量产品开关的时间，用于评估产品的响应速度。
- 电压稳定性：测量产品输出电压的稳定性，用于评估产品的稳定性。
- 电流稳定性：测量产品输出电流的稳定性，用于评估产品的稳定性。
- 输出功率：测量产品的输出功率，用于评估产品的性能。
- 输入电流：测量产品的输入电流，用于评估产品的功耗。
- 开关损耗：测量产品开关过程中的能量损耗。
- 频率响应：测量产品对不同频率的响应能力。
- 电源噪声：测量产品输出电源的噪声水平。
- 输入电压波动：测量产品输入电压的波动情况。
- 输出电压波动：测量产品输出电压的波动情况。
- 温度变化对性能的影响：测量温度变化对产品性能的影响。
- 尺寸：测量产品的尺寸，用于评估产品的适用场景。
- 重量：测量产品的重量，用于评估产品的便携性。
检测样品（部分）
- 场效应晶体管
- 场效应管
- 场效应放大器
- 场效应电流源
- 场效应开关
- 场效应逻辑门
- 场效应触发器
- 场效应二极管
- 场效应传感器
- 场效应阻容连接器
- 场效应电路
- 场效应放大电路
- 场效应调制器
- 场效应模块
- 场效应开关电源
- 场效应功率放大器
- 场效应光电场板
- 场效应发射极管
- 场效应感应器
- 场效应芯片
检测仪器（部分）
- 数字万用表
- 示波器
- 信号发生器
- 频谱分析仪
- 电源供应器
- 多功能测试仪
- 热像仪
- 电阻表
- 电容表
- 功率计
检测方法（部分）
- 直流电压测量：使用数字万用表等仪器测量产品的直流电压。
- 交流电压测量：使用示波器等仪器测量产品的交流电压。
- 电流测量：使用电流表等仪器测量产品的电流。
- 电阻测量：使用电阻表等仪器测量产品的电阻。
- 频率测量：使用频谱分析仪等仪器测量产品的频率。
- 功率测量：使用功率计等仪器测量产品的功率。
- 温度测量：使用热像仪等仪器测量产品的温度。
- 电容测量：使用电容表等仪器测量产品的电容。
- 开关时间测量：使用示波器等仪器测量产品的开关时间。
- 信号分析：使用示波器等仪器对产品的信号进行分析。
检测标准（部分）
《 T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 》标准简介
- 标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
- 标准号：T/CASAS 015-2022
- 中国标准分类号：/C397
- 发布日期：2022-07-18
- 国际标准分类号：31.080.01
- 实施日期：2022-07-18
- 团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 标准分类：电子器件制造半导体器分立件综合
- 内容简介：
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据
本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的SiCMOSFET分立器件的功率循环试验
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiCMOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环，以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制，传统的SiMOSFET的功率循环试验方法会由于SiCMOSFET器件的阈值电压V_GS(th)漂移导致结温等监测参数出现偏差，从而影响功率循环试验的准确性，本文件给出了适用于SiCMOSFET器件的功率循环试验方法。
《 T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 》标准简介
- 标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
- 标准号：T/CASAS 016-2022
- 中国标准分类号：/C397
- 发布日期：2022-07-18
- 国际标准分类号：31.080.01
- 实施日期：2022-07-18
- 团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 标准分类：电子器件制造半导体器分立件综合
- 内容简介：
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
本文件仅适用于SiCMOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压V_sd作为测试温敏参数的结壳热阻测试
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiCMOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义。
《 SJ/T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 》标准简介
- 标准名称：半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
- 标准号：SJ/T 9014.8.2-2018
- 中国标准分类号：L44
- 发布日期：2018-04-30
- 国际标准分类号：31.080.30
- 实施日期：2018-07-01
- 技术归口：工业和信息化部电子工业标准化研究院
- 代替标准：
- 主管部门：工业和信息化部
- 标准分类：信息传输软件和信息技术服务业电子学半导体分立器件电子三极管
- 内容简介：
行业标准《半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报，主管部门为工业和信息化部。
《 JJG (电子) 04049-1995 国洋双栅场效应晶体管cx测试仪试行检定规程 》标准简介
- 标准名称：国洋双栅场效应晶体管cx测试仪试行检定规程
- 标准号：JJG (电子) 04049-1995
- 标准状态：现行
- 发布日期：1995
- 归口单位
- 实施日期：1995
- 发布部门：国家市场监督管理总局
- 代替标准：
- 标准类别：计量检定规程
- 文件格式：纸质版或者PDF电子版（用Acrobat Reader打开）或Word版本doc格式
- 内容简介：
本规程适用于国洋双栅场效应应晶体管CX测试仪的检定。
《 JJG (电子) 04046-1995 qc-13型场效应管跨导参数测试仪试行检定规程 》标准简介
- 标准名称：qc-13型场效应管跨导参数测试仪试行检定规程
- 标准号：JJG (电子) 04046-1995
- 标准状态：现行
- 发布日期：1995
- 归口单位
- 实施日期：1995
- 发布部门：国家市场监督管理总局
- 代替标准：
- 标准类别：计量检定规程
- 文件格式：纸质版或者PDF电子版（用Acrobat Reader打开）或Word版本doc格式
- 内容简介：
本规程适用于QC-13型场效应晶体管跨导参数测试仪的检定。
《 JJG (电子) 04006-1987 bj2913型场效应管参数测试仪(试行) 》标准简介
- 标准名称：bj2913型场效应管参数测试仪(试行)
- 标准号：JJG (电子) 04006-1987
- 标准状态：已作废
- 发布日期：1988-01-05
- 归口单位
- 实施日期：1988-01-05
- 发布部门：国家市场监督管理总局
- 代替标准：
- 标准类别：计量检定规程
- 文件格式：纸质版或者PDF电子版（用Acrobat Reader打开）或Word版本doc格式
- 内容简介：
《 SL 555-2012 小型水电站现场效率试验规程 》标准简介
- 标准名称：小型水电站现场效率试验规程
- 标准号：SL 555-2012
- 中国标准分类号：P59
- 发布日期：2012-04-05
- 国际标准分类号：
- 实施日期：2012-07-05
- 技术归口：水利部农村水电及电气化发展局
- 代替标准：
- 主管部门：水利部
- 标准分类：水利
- 内容简介：
行业标准《小型水电站现场效率试验规程》由水利部农村水电及电气化发展局归口上报，主管部门为水利部。
《 GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管 空白详细规范 》标准简介
- 标准名称：硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
- 标准号：GB/T 15450-1995
- 中国标准分类号：L44
- 发布日期：1995-01-05
- 国际标准分类号：31.080.99
- 实施日期：1995-08-01
- 技术归口：全国半导体器件标准化技术委员会
- 代替标准：
- 主管部门：工业和信息化部（电子）
- 标准分类：电子学半导体分立器件其他半导体分立器件
- 内容简介：
国家标准《硅双栅场效应晶体管 空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
《 T/CASAS 007-2020 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范 》标准简介
- 标准名称：电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范
- 标准号：T/CASAS 007-2020
- 中国标准分类号：/C3670
- 发布日期：2020-05-25
- 国际标准分类号：31.080.01
- 实施日期：2020-05-25
- 团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 标准分类：汽车零部件及配件制造半导体器分立件综合
- 内容简介：
随着电动汽车行业的迅猛发展，对驱动系统的小型化和轻量化提出了更高的要求。基于SiC的解决方案使电动汽车驱动系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑，近几年已经逐渐在电动汽车行业得到应用。然而，目前国内外尚无针对SiC功率模块的规范和标准，缺少电动汽车行业SiCMOSFET模块的统一指导性文件，影响了SiCMOSFET模块在电动汽车行业的通用化。本规范针对电动汽车用的SiCMOSFET模块，从性能参数、评测程序等方面对SiCMOSFET模块进行了规范，可以用于电动汽车行业对SiCMOSFET模块的初步评价。
《 T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 》标准简介
- 标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
- 标准号：T/CASAS 006-2020
- 中国标准分类号：/C397
- 发布日期：2020-12-28
- 国际标准分类号：29.045
- 实施日期：2021-01-01
- 团体名称：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
- 标准分类：电子器件制造
- 内容简介：
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（以下简称“晶体管”）的术语、符号、基本额定值和特性、检验要求、测量与试验方法本文件充分借鉴了IEC60747-8-4DiscreteSemiconductordevices-Part8-4:Metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistorsforpowerswitchingapplications的内容，并结合了近几年科研人员在SiCMOSFET功率器件的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对SiCMOSFET的动静态参数、可靠性考核测试方法等进行了详细的规定，但局限于当前科研人员对SiCMOSFET器件的认知，以及该产品生产与应用所处的发展阶段，可能还存在一些不足的地方，后续将根据研究进展不断进行完善和升级。
《 SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法 》标准简介
- 标准名称：MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法
- 标准号：SJ 20789-2000
- 中国标准分类号：L5961
- 发布日期：2000-10-20
- 国际标准分类号：
- 实施日期：2000-10-20
- 技术归口：中国电子技术标准化研究所
- 代替标准：
- 主管部门：信息产业部
- 标准分类：
- 内容简介：
本规范规定了MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选的试验方法。本规范适用于MOS场效应晶体管（以下简称电阻器）热敏参数快速筛选。
《 SJ 2748-1987 微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范 》标准简介
- 标准名称：微波低噪声单栅场效应晶体管空白详细规范
- 标准号：SJ 2748-1987
- 中国标准分类号：F01
- 发布日期：1987-02-10
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1987-10-01
- 技术归口：
- 代替标准：
- 主管部门：电子工业部
- 标准分类：能源技术管理核技术核技术综合
- 内容简介：
本空白详细规范规定了制订微波低噪声单栅场效应品体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
《 SJ 2092-1982 ＣＳ３５型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管 》标准简介
- 标准名称：ＣＳ３５型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
- 标准号：SJ 2092-1982
- 中国标准分类号：F01
- 发布日期：1982-05-15
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1982-12-01
- 技术归口：
- 代替标准：
- 主管部门：
- 标准分类：能源技术管理核技术核技术综合
- 内容简介：
《 SJ 2093-1982 ＣＳ３６型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管 》标准简介
- 标准名称：ＣＳ３６型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
- 标准号：SJ 2093-1982
- 中国标准分类号：F01
- 发布日期：1982-05-15
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1982-12-01
- 技术归口：
- 代替标准：
- 主管部门：
- 标准分类：能源技术管理核技术核技术综合
- 内容简介：
《 SJ 2094-1982 ＣＳ３７型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管 》标准简介
- 标准名称：ＣＳ３７型Ｎ沟道结型场效应小功率半导体开关三极管
- 标准号：SJ 2094-1982
- 中国标准分类号：F01
- 发布日期：1982-05-15
- 国际标准分类号：
- 实施日期：1982-12-01
- 技术归口：
- 代替标准：
- 主管部门：
- 标准分类：能源技术管理核技术核技术综合
- 内容简介：
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检测优势
检测资质（部分）
检测实验室（部分）
合作客户（部分）
检测报告作用
1、可以帮助生产商识别产品的潜在问题或缺陷，并及时改进生产工艺，保障产品的品质和安全性。
2、可以为生产商提供科学的数据，证明其产品符合国际、国家和地区相关标准和规定，从而增强产品的市场竞争力。
3、可以评估产品的质量和安全性，确保产品能够达到预期效果，同时减少潜在的健康和安全风险。
4、可以帮助生产商构建品牌形象，提高品牌信誉度，并促进产品的销售和市场推广。
5、可以确定性能和特性以及元素，例如力学性能、化学性质、物理性能、热学性能等，从而为产品设计、制造和使用提供参考。
6、可以评估产品是否含有有毒有害成分，以及是否符合环保要求，从而保障产品的安全性。
检测流程
1、中析研究所接受客户委托，为客户提供检测服务
2、客户可选择寄送样品或由我们的工程师进行采样，以确保样品的准确性和可靠性。
3、我们的工程师会对样品进行初步评估，并提供报价，以便客户了解检测成本。
4、双方将就检测项目进行详细沟通，并签署保密协议，以保证客户信息的保密性。在此基础上，我们将进行测试试验.
5、在检测过程中，我们将与客户进行密切沟通，以便随时调整测试方案，确保测试进度。
6、试验测试通常在7-15个工作日内完成，具体时间根据样品的类型和数量而定。
7、出具检测样品报告，以便客户了解测试结果和检测数据，为客户提供有力的支持和帮助。
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