硅材料检测：全面解析硅材料的质量与性能评估

行业标准《硅材料用高纯石英制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法》，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了多晶硅用高纯石英制品中铝、钙、钾、钠、铜、镁、磷、砷、锌、镍、硼含量的测定方法。本标准适用于多晶硅用高纯石英制品中铝、钙、钾、钠、铜、镁、磷、砷、锌、镍、硼含量的测定，测定范围见表1。

本文件规定了铸造单晶硅材料的术语和定义、技术要求、检验方法、检验规则。本文件适用于铸造单晶硅锭开方后的硅块的性能评价。

半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数

二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备

目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用

地方标准《硅材料中杂质元素含量测定 辉光放电质谱法》由中国科学院福建物质结构研究所归口上报，主管部门为福建省质量技术监督局。本标准规定了测定硅材料中杂质元素含量的辉光放电质谱法（GDMS)所涉及的术语和定义、原理、试剂与材料、仪器设备、样品要求、样品要求、分析步骤、结果计算、允许偏差。本标准适用于纯度不高于99.99999%的硅材料中的杂质元素Li、Be、B、Na、Mg、A1、P、K、Th、U等元素的测定

地方标准《硅材料工业企业能源管理规范》由乐山市经济和信息化局归口上报，主管部门为乐山市市场监督管理局。本文件规定了硅材料工业企业能源管理的组织与人员、方针、规划与目标、能源管理要求、能源统计、能源消耗分析及节能技术。本文件适用于乐山市行政区域范围内工业硅、单晶硅和多晶硅等硅材料工业企业的能源管理。

行业标准《硅材料用高纯石墨制品中杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法》由全国钢标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了电感耦合等离子体发射光谱法测定多晶硅用高纯石墨制品中铝、钙、铜、铁、钾、镁、钠、磷、砷、锌、镍、铬、硼含量的方法。本标准适用于多晶硅用高纯石墨制品中铝、钙、铜、铁、钾、镁、钠、磷、砷、锌、镍、铬、硼含量的测定，测定范围见表1。

行业标准《氮化硅材料相含量分析方法》由全国工业陶瓷标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了X射线多晶衍射法测定氮化硅材料相含量的术语和定义、仪器、测试步骤以及定量分析方法。本标准适用于氮化硅中a相和β相的定量分析。在含有这两相以外的结晶相或非结晶相的情况下，仅对其中的α相和β相的相对质量百分比进行分析。当α相或β相含量≤1%时，本标准不适用。

国家标准《滚动轴承球用氮化硅材料 室温压痕断裂阻力试验方法 压痕法》由TC194（全国工业陶瓷标准化技术委员会）归口，主管部门为中国建筑材料联合会。

本文件描述了在室温下用压痕法（Indentation Fracture，IF）测试氮化硅陶瓷轴承球断裂阻力的试验方法。本文件适用于轴承球用氮化硅材料。

国家标准《光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件描述了用脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法测定光伏硅材料中氧含量的方法。本文件适用于生产多晶硅的原料硅粉、工业硅、颗粒多晶硅等光伏硅材料中氧含量的测定，测定范围为氧的质量分数0.0010%~0.40%。其他生产光伏组件的各类晶体硅材料参照使用。

本标准规定了医用有机硅材料的生物学评价试验方法。 本标准适用于医用有机硅材料的生物学评价。其他医用材料亦可参照采用。

本标准适用于单晶硅、多晶硅中金属杂质元素和非金属杂质元素含量的测定。

国家标准《半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法》由610（中国有色金属工业协会）归口上报及执行，主管部门为中国有色金属工业协会。

国家标准《硅材料中氧含量的测试 惰性气体熔融红外法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试，测试范围为2.5X1015cm-3(0.05ppma)~2.5X1018cm-3(50ppma)注：硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子数计。

本标准规定了多晶硅用高纯石英制品中铝、钙、钾、钠、铜、镁、磷、砷、锌、镍、硼含量的测定方法。本标准适用于多晶硅用高纯石英制品中铝、钙、钾、钠、铜、镁、磷、砷、锌、镍、硼含量的测定，测定范围见表1。

国家标准《硅材料原生缺陷图谱》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。