外延片检测,检测标准

国家标准《 埋层硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。

本文件规定了埋层硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于具有埋层结构的硅外延片的生产制造、测试分析和质量评价，产品主要用于制作集成电路芯片和半导体分立器件。

本规范规定了微波功率器件用氮化镓外延片(以下简称氮化镓外延片)的技术要求、质量保证规定、交货准备等内容。本规范适用于微波功率器件用氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)外延片，也适用于微波单片集成电路用GaNHEMT外延片。

本规范规定了电力电子器件用碳化硅外延片(以下简称碳化硅外延片)的技术要求、质量保证、交货准备以及说明事项等内容。本规范适用于电力电子器件用在n型4H碳化硅衬底上生长了n型(或p型)碳化硅同质外延层的外延片。

本规范规定了微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片(以下简称砷化镓外延片)的技术要求、质量保证规定、交货准备等内容。本规范适用于砷化镓微波功率器件和砷化镓微波单片集成电路(MMIC)用砷化镓外延片，其他砷化镓外延片可参照使用。

本标准规定了碳化硅外延片表面缺陷密度的光学测试方法。本标准适用于在4H晶型碳化硅衬底上生长了同质外延层的外延片的表面缺陷密度测试，样品表面法线方向为［0001］方向，且其偏离角度不应大于8°。

本规范规定了微波功率晶体管用硅外延片(以下简称外延片)的要求、质量保证规定、交货准备和说明事项。本规范适用于微波功率晶体管用直径为76.2mm~200mm的同质外延片的设计、制造、检验，其它半导体分立器件同质外延片也可参照执行。

国家标准《 碳化硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上，生长碳化硅同质外延层的外延片，产品用于制作碳化硅电力电子器件。

国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

T/CASAS027—2023《射频GaNHEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaNHEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaNHEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100〖cm〗^2?(V?s)～20000〖cm〗^2?(V?s)。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InPHEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。

本文件规定了高压MOSFET用200mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺

本文件适用于直径为200mm、外延层厚度为40μm～80μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片

产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件（简称高压MOSFET）

本标准规定了功率器件用碳化硅外延片表面缺陷的无损光学测量方法

本标准适用于同质的超过（含）2微米厚的碳化硅外延层

行业标准《发光二极管外延片》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了可见光发光二极管外延片(以下简称外延片)的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。

行业标准《发光二极管外延片测试方法》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报，主管部门为工业和信息化部。本标准规定了可见光发光二极管外延片(以下简称外延片)的几何参数、表面缺陷、结构参数及光电参数的测试方法。本标准适用于镓砷磷系、镓铝砷系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。