摇摆曲线检测：揭秘曲线背后的秘密与技术

本文件描述了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法

本文件适用于熔体法、液相法及气相法生长的β相氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法

本文件描述了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。本文件适用于熔体法、液相法及气相法生长的β相氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。

本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测本文件根据碳化硅单晶的材料性能特点，并结合目前国内碳化硅晶体质量检测技术的研究水平，对碳化硅单晶摇摆曲线的测量原理、测量精度保障、测量步骤等内容作出了规定

本文件的主要结构和内容如下：本文件主题章共分为9章，主要内容包括：范围、规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器、干扰因素，测试环境、测试样品、测试程序、精密度、测试报告和附录

本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法本文件适用于β相氧化镓单晶氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注

氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力电子器件市场前景广泛

氧化镓单晶材料是氧化镓生长最理想的衬底，对提高外延薄膜的质量，降低位错密度，提高器件效率，延长工作寿命等方面具有不可替代的优势

氧化镓单晶材料的重要性能指标之一就是结晶质量，而高分辨X射线衍射摇摆曲线半高宽测试具有快速、无损、精度高等优点，是表征氧化镓单晶结晶质量的必要方法，编制本方法有助于规范行业内产品质量的评估，对产业的健康发展及半导体材料的标准化工作可起到重要的促进作用

国家标准《蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

本标准规定了蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线的测量方法。本标准适用于蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线的测量。

国家标准《氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，主管部门为国家标准化管理委员会。

本标准规定了利用双晶 X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。