常见问题
XRD检测需要多长时间？通常7-15个工作日
常规粉末或块状样品的X射线衍射分析周期为7至15个工作日，若涉及变温附件测试或Rietveld全谱拟合精修，测试周期需根据实际测试条件顺延3至5个工作日。
XRD检测费用大概多少？根据检测项目数量确定
基础物相定性分析费用按单样品计费，若需进行定量相分析、晶胞参数精修或残余应力测定等深度解析，检测费用将根据所选具体测试项目叠加核算。
XRD测试对样品有什么要求？
粉末样品需研磨至粒径小于微米级别并平整填满样品框，块状样品需保证测试表面平整且尺寸符合样品台限制，薄膜样品需明确标注基底材料与膜层厚度以便调整掠入射角度。
XRD检测项目
- 物相定性分析，用于判定样品中所包含的晶体物质种类
- 物相定量分析，用于测定多相混合物中各结晶相的质量分数
- 晶胞参数测定，用于计算晶体的点阵常数以评估元素固溶或晶格畸变
- 结晶度计算，用于判定聚合物或无机材料中晶态与非晶态的比例
- 晶粒尺寸计算，基于衍射峰半高宽推算纳米材料的平均晶粒大小
- 微观应变测定，用于评估材料内部因位错或空位引起的晶格畸变程度
- 残余应力测定，用于分析加工处理后材料表面的宏观残余应力分布
- 择优取向分析，用于表征多晶材料中晶面沿特定方向的排列倾向
- 晶型转变分析，用于判定材料在不同温度或压力条件下的晶相演化
- 薄膜厚度测定，基于X射线反射法计算纳米级薄膜的厚度与密度
- 织构分析，用于绘制极图以表征金属板材的结晶学取向分布
- 非晶态含量测定，用于判定非晶合金或玻璃态物质中的结构无序比例
- 层间距离测定，用于计算黏土或石墨烯等层状材料的层间距
- 固溶度分析，通过晶格常数变化判定溶质元素在基体中的固溶极限
- 相变温度点测定，结合变温附件分析晶体结构发生转变的临界温度
- 点阵常数精修，通过Rietveld方法精确计算晶胞参数和原子坐标
- 空间群判定，用于确定晶体所属的对称性群组类别
- 结晶度指数计算，用于评估高分子材料的结晶完善程度
- 衍射峰半高宽测定，用于反映材料晶格完整性与结晶质量
- 取向度分析，用于定量表征纤维或薄膜材料的轴向结晶取向
检测范围
- 多晶粉末样品物相分析
- 块状固体材料表面物相测定
- 薄膜材料掠入射物相表征
- 金属与合金相结构测定
- 无机非金属材料结晶度分析
- 高分子聚合物结晶度测定
- 矿物原料岩石物相鉴定
- 腐蚀产物物相成分分析
- 纳米材料晶粒尺寸计算
- 陶瓷材料晶型转变分析
- 电池正负极材料晶相表征
- 半导体外延薄膜结构分析
- 水泥及建筑材料矿物相鉴定
- 药物活性成分晶型测定
- 催化剂材料物相组成表征
- 聚合物共混体系相行为分析
- 地质矿物黏土成分鉴定
- 金属表面涂层相结构分析
- 焊接热影响区析出相鉴定
- 残余应力宏观测定
检测标准（部分）
- GB/T 36655-2018 电子封装用球形二氧化硅微粉中α态晶体二氧化硅含量的测试方法 XRD法
- BS ISO 23071:2021 Refractory products. Determination of reduced species in carbon containing refractories by XRD
- ASTM F3419-22 Standard Test Method for Mineral Characterization of Equine Surface Materials by X-Ray Diffraction (XRD) Techniques
- ISO 21068-4:2024 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon — Part 4: XRD methods
- 20255179-T-469 含碳化硅、氮化硅、氧氮化硅和赛隆耐火材料化学分析方法 第4部分：XRD法
- UNE-EN 12698-2:2007 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories - Part 2: XRD methods
- DIN EN ISO 21068-4:2024-11 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon - Part 4: XRD methods (ISO 21068-4:2024)
- DIN EN 12698-2:2007-06 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories - Part 2: XRD methods
- ISO 23071:2021 Refractory products — Determination of reduced species in carbon containing refractories by XRD
- DIN EN ISO 21068-4:2023-07 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon - Part 4: XRD methods (ISO/DIS 21068-4:2023); German and English version prEN ISO 21068-4:2023
- EN 12698-2:2007 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories - Part 2: XRD methods
- BS EN 12698-2:2007 Chemical analysis of nitride bonded silicon carbide refractories-XRD methods
- GB/T 47098-2026 耐火材料 X射线衍射法测定含碳耐火材料中的还原性物质
- GA/T 1422-2017 法庭科学常见火炸药组分检验 X射线衍射法
- ISO 22278:2020 Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) — Test method for crystalline quality of single-crystal thin film (wafer) using XRD method with parallel X-ray beam
- GB/T 47625-2026 精细陶瓷 平行光束X射线衍射法测定单晶薄膜（晶圆）结晶质量
- BS ISO 22278:2020 Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics). Test method for crystalline quality of single-crystal thin film (wafer) using XRD method with parallel X-ray beam
- SN/T 3514-2013 电工钢晶粒取向与无取向鉴定方法 X射线衍射测定织构法
- EN ISO 21068-4:2024 Chemical analysis of raw materials and refractory products containing silicon-carbide, silicon-nitride, silicon-oxynitride and sialon - Part 4: XRD methods (ISO 21068‑4:2024)
检测信息
XRD是一种利用X射线在晶体中的衍射现象来分析材料物相组成、晶体结构和晶胞参数的物理表征手段，主要应用于矿物原料、金属合金、陶瓷材料和高分子聚合物的相定性定量分析。
该检测旨在明确被测物质的物相种类及其含量比例，涉及X射线发生、衍射光路控制、散射光强度采集与衍射图谱解析等核心技术手段。
检测流程包含样品平面化制样、连续扫描采谱、基线扣除与平滑处理，核心参数涵盖扫描角度范围、步进宽度、管电压和管电流设定。
总结
XRD是用于解析材料物相组成和晶体结构的衍射分析检测，覆盖粉末、块体、薄膜等形态的定性定量相分析及晶胞参数计算。常规检测周期通常为7至15个工作日。
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