晶体管检测,检测标准

国家标准《纳米技术 有机晶体管和材料表征试验方法》由TC279（全国纳米技术标准化技术委员会）归口，主管部门为中国科学院。

本文件描述了一种表征有机晶体管的方法，包括测量技术、数据报告方法和表征过程的测试条件。
本文件适用于有机晶体管的电学特性测量。

本规范规定了高电子迁移率晶体管用半绝缘砷化镓抛光片的全部要求。本规范适用于高电子迁移率晶体管用直径100mm半绝缘砷化镓抛光片(以下简称砷化镓抛光片)。

本规范规定了3DK50A~Ⅰ型NPN硅功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

本规范规定了CS4416A型硅N沟道场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。

国家标准《半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管》由339-1（工业和信息化部（电子））归口，主管部门为工业和信息化部（电子）。

本文件规定了光电二极管（以下简称“PDs”）和光电晶体管（以下简称“PTs”）的术语、基本额定值和特性以及测试方法。本文件适用于光电二极管和光电晶体管。

本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法

本文件适用于进行GaNHEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景

可应用于以下器件：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品

本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻测试方法。本文件适用于进行GaNHEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件：a)　GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件；b)　GaN集成功率电路；c)　以上的晶圆级及封装级产品。

本本规范适用于晶体管特征频率测试仪的校准。晶体管特征频率FT参数定义为共射极输出交短路电流放大倍数|Β|随频率增加而下降到1时的工作频率,反映了晶体管共发射输出具有电流放大作用的频率极限,是晶体管的一个重要频率特性参数。晶体管特征频率测试仪是晶体管特征频率FT参数测试的专用仪器,采用“带宽—增益乘积”的原理进行设计,主要由施加高频信号、偏置电压源、IB电流源、IC电流源和测量显示单元等部分组成,具有测量范围宽,精度高、稳定可靠、操作简便等特点。