第三方第三代半导体材料检测机构北京中科光析科学技术研究所科研分析检测中心可以进行碳化硅(SiC)单晶衬底、氮化镓(GaN)功率器件外延片、氧化镓(Ga₂O₃)基板材料、金刚石半导体薄膜、铝氮化物(AlN)模板、氮化铝镓(AlGaN)HEMT结构、碳化硅MOSFET芯片等20+项检测。一般7-15天出具第三代半导体材料检测报告。中析研究所旗下实验室拥有CMA检测资质及CNAS检测证书和ISO证书等荣誉资质。
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